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微特電機論文:帶保護功能的功率MOSFET驅(qū)動電路
 
 

帶保護功能的功率MOSFET驅(qū)動電路
0引  言
    通常功率場效管內(nèi)部(柵一源極間)制作了一個保護用的齊納二極管,由于該齊納二極管的存在,也將使M0sFET管的柵極輸入電容增大。因此,為了提高其開關(guān)速度,必須充分考慮柵極輸入電容的影響,保證輸入電容在開關(guān)過程中能很快充放電,因此,在設(shè)計功率MOsFET柵極驅(qū)動電路時,還
必須使控制回路與功率MOsFET構(gòu)成的主回路之間完全隔離。考慮到功率MOsFET柵源極間的正反向電壓****值一般都在20 V左右,因而其門檻電壓UGS(th)一般控制在2~6V,當(dāng)柵源極間電壓UGS≥10 V時,MOsFET就進入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。為了保證電路可靠觸發(fā),應(yīng)盡可能采用強驅(qū)動方式。
1高頻橋式整流驅(qū)動電路
    高頻橋式整流驅(qū)動電路如圖1所示。它由高頻脈沖振蕩器、四個三極管VTl、V12、vT3、vT4構(gòu)成的互補電路、脈沖變壓器、橋式整流驅(qū)動電路及cD4528或c1)4538單穩(wěn)電路構(gòu)成的保護環(huán)節(jié)組成。
    由門電路G1和2 MHz晶體振蕩器構(gòu)成的高頻脈沖振蕩器輸出經(jīng)cD4(】】3分頻后,在其輸出端O和O得到一相位相反的兩路高頻脈沖信號,該脈沖信號分別作為門G2和G3的一個輸入。當(dāng)控制信號ui為高電平時,門G2和c3輸出端產(chǎn)生相應(yīng)的兩路脈沖,并分別驅(qū)動由vTl、v12和vT3、vT4構(gòu)成的互補電路,其中G2用以控制vTl、vT2的基極,G3用以控制VT3、VT4的幕極。由于G2和G3相位相反,G2為高電平時G3為低電平,G2為低電平時G3為高電平。因此,在任一時刻,VTl、VT2、VT3、VT4四個三極管中,當(dāng)vTl、vT3導(dǎo)通時,VT2、VT4截止,或者當(dāng)VT2、VT4導(dǎo)通時,vTl、vT3截止,從而在脈沖變壓器原邊得到一個交變的對稱方波信號。為了提高功率MOsFET的開通和關(guān)斷時間,在vTl、vT2、VT3、VT4構(gòu)成的三極管互補電路中,因三極管與電源間不接任何限流電阻,因此脈沖變壓器原邊的方波幅值為電源電壓VCC該方波信號經(jīng)脈沖變壓器耦合后.在副邊也得到一交變的對稱方波信號,其幅值由脈沖變壓器原邊、副邊線圈的匝數(shù)比決定,通常該匝數(shù)比設(shè)計為1。但考慮到變壓器的各種損耗因素等,應(yīng)使變壓器副邊的匝數(shù)略大于原邊的匝數(shù):本電路變壓器鐵心所采用的普通O.2 T環(huán)形導(dǎo)磁體中,原邊匝數(shù)為12匝,副邊匝數(shù)為14匝。脈沖變壓器輸出信
號經(jīng)VDl~VD2構(gòu)成的橋式整流電路整流后,即可按到VT6的柵極直接驅(qū)動功率M0sFET。圖2給出了該電路各點的輸出波形;
    當(dāng)控制信號ui為低電平時,振蕩器輸出信號被封閉,門G2和G3同時輸出高電平,從而三極管VT2、VT3處于截止?fàn)顟B(tài),脈沖變壓器原邊沒有形成通路,因而副邊輸出為零,即U2為零,故功率MOsFET被關(guān)斷.
2自動保護原理
2 1 cMOs石英晶體振蕩器
    構(gòu)成振蕩器的方式有多種,一般可根據(jù)所用元器件特點、輸出頻率范圍及電源形式來選擇不同的振蕩電路.本電路選用r由cMOs集成電路和石英晶體構(gòu)成的振蕩器。該電路除具有結(jié)構(gòu)簡單、輸出頻率穩(wěn)定且可靠等優(yōu)點外,而且在滿足功率MOsFET對柵極驅(qū)動電平要求的前提下,可使整個電路采用單一的+15 V電源,因而簡化了電路。圖1中,振蕩器由反相器G1、2 MHz石英晶體振蕩器及電容ca和cb構(gòu)成。其中Rf的作用是為反相器提供一個偏置,使反相器工作在線性放大狀態(tài)。ca、cb和石英晶體組成π型反饋網(wǎng)絡(luò),當(dāng)電路振蕩頻率接近石英晶體的固有串聯(lián)諧振頻率時,電路維持振蕩,此時調(diào)整ca、cb數(shù)值就可微調(diào)振蕩頻率。cD4013是具有復(fù)位和置位功能的雙D觸發(fā)器,主要用于對振蕩器輸出進行分頻,并通過其Q端和Q端輸出兩路相位相反的脈沖信號。在該振蕩電路中,Rf的取值非常重要,若阻值過小或過大都將使電路工作極不穩(wěn)定,特別是起振困難:一旦電路停振,必然引起后續(xù)電路元件直通損壞,后果是非常嚴重的。通常,Rf的取值范圍在100kΩ~10 MΩ之間較合適。
2 2三極管互補驅(qū)動電路的保護
    為了提高元器件的開通時間和關(guān)斷時間,在脈沖變壓器前端的三極管互補電路中,三極管與電源之間不接任何限流電阻。當(dāng)振蕩器因故停振時,若G2輸出高電平,G3輸出低電平,則VTl、VT3將同時導(dǎo)通并通過電源對地短路,反之若G2輸出低電平,G3輸出高電平,則VT2、VT4電將同時導(dǎo)通,并通過電源對地短路,因此,需要對圖1所示電路采取一定的保護措施。為此,可以采用…個由CD4528或CD4538雙單穩(wěn)態(tài)集成觸發(fā)電路構(gòu)成的保護電路。在CD4528或CD4538每個單穩(wěn)態(tài)電路中,有兩個可再觸發(fā)輸入端T1和T2若用脈沖上升沿觸發(fā)時,觸發(fā)信號從A端輸入,B端接高電平;若用脈沖下跳沿觸發(fā),則觸發(fā)信號從B端輸入,A端接低電平。cD是復(fù)位端,低電平時有效。其保護工作原理當(dāng)振蕩器因故停止振蕩時,從A端輸入的觸發(fā)信號為一不變的直流電平,由于這時B端和復(fù)位端cD都為高電平,從而保證了其Q端輸出為高電平。該信號同時加至分頻器CD4013的復(fù)位端(4
腳)和置位端(6腳),使分頻器兩個輸出端也都為高電平,從而可使VT2、VT3截止。這樣就保證了驅(qū)動三極管互補電路不會發(fā)生直通短路現(xiàn)象。
2 3功率MOSFET柵源極問的過壓保護
    如果功率MOSFET柵一源極間的輸入阻抗過高,則漏源電壓的正向、負向突變會通過管子內(nèi)部反饋電容crss的密勒(Miller)效應(yīng)耦合到柵極,并產(chǎn)生相當(dāng)高的正向或負向瞬態(tài)電壓UCS過壓脈沖,擊穿浮柵引起管子****性損壞,正向的UCS還會導(dǎo)致元件的誤導(dǎo)通:為了防止管子輸入信號過高,在圖l電路中,可以在VT6柵一源極間并接了一個穩(wěn)壓管。如在輸入信號被限幅或不會太高的應(yīng)用中,該穩(wěn)壓管可以不接。
3結(jié)語
    本文提出了一種高頻橋式整流的功率MOSFET驅(qū)動電路。該電路已經(jīng)在實際研制的交交變頻電源中采用。結(jié)果表明,該電路不僅具有頻率響應(yīng)快、線路簡單可靠、靈活等特點,還具有自保護功能。

 

 

 
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